2200型磁控溅射沉积系统报价-沈阳鹏程

磁控溅射的种类介绍

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，2200型磁控溅射沉积系统报价，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，---地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加了碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。

但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。不管平衡还是非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶，如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。

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磁控方箱生产线介绍

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。　　

主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。　

技术指标：　　---真空度6.7×10-5pa，系统漏率：1×10-7pal/s；　　恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 pa短时间暴露　　---并充干燥氮气后开始抽气　　

镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜；　　样品基片: 负偏压 -200v　　

样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，2200型磁控溅射沉积系统价格，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；　　

可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，2200型磁控溅射沉积系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位---镀膜。

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